PECVD管式爐
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設備概述
PECVD管式爐是一種結合管式加熱系統與等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)技術的復合設備,通過在中低溫環境下利用等離子體激活反應氣體,實現高質量薄膜沉積。該設備廣泛應用于光伏、半導體、柔性電子、納米材料等領域的薄膜制備
產品特點
1.低溫成膜:等離子體激活使沉積溫度比傳統CVD低300-500℃,適合聚合物/柔性基底
2.高質薄膜:致密無針孔,附著力強
3.高沉積速率:比熱CVD快3-5倍,提升產線吞吐量
4.組分精確可控:通過調節氣體比例實現SiNx中[N]/[Si]比1.2-1.8可調
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爐管尺寸(Φ*L) |
最高溫度 |
加熱元件 |
極限真空度 |
爐管材質 |
| Φ60*2200-Φ120*2200mm可選 |
1200℃ |
電阻絲 |
6.7*10-4pa |
高純石英管 |
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