CVD管式爐
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設備概述
CVD管式爐是一種通過高溫氣相化學反應在基底表面沉積固態薄膜的管式加熱設備,廣泛應用于半導體、納米材料、光伏、涂層制備等領域。該設備通過精確控制溫度、氣體流量和反應壓力,實現高質量薄膜的可控生長
產品特點
1.高溫高質量成膜:高溫(≥800℃)下薄膜致密、結晶性好(如單晶SiC外延)
2.大面積均勻性:多溫區加熱+氣體分流設計,膜厚不均勻性<5%
3.高純度環境:真空/惰性氣氛避免污染,適合半導體級薄膜生長
4.多功能兼容:一機多用(如石墨烯生長+SiO?沉積)
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爐管尺寸(Φ*L) |
最高溫度 |
加熱元件 |
極限真空度 |
爐管材質 |
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Φ60*2200-Φ120*2200mm可選 |
1200℃ |
電阻絲 |
6.7*10-4pa |
高純石英管 |
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